(ABM FN-Dow Jones) IBM en Samsung Electronics hebben gezamenlijk een doorbraak aangekondigd in het ontwerp van halfgeleiders met behulp van een nieuwe verticale transistorarchitectuur. Dit bleek dinsdag uit een persbericht van de twee bedrijven.
Het ontwerp heeft volgens beide bedrijven potentieel om het energieverbruik met 85 procent te verminderen. Zo zou de batterij van mobiele telefoons mogelijk een week mee kunnen gaan zonder op te laden, in plaats van de huidige situatie waarbij de batterij om de paar dagen aan de oplader moet.
IBM en Samsung spreken van een "potentiële apparaatarchitectuur die het schalen van halfgeleiderapparaten mogelijk maakt om verder te gaan dan nanosheet."
Ook energie-intensieve processen, zoals cryptomining-operaties en data encryptie zouden door de nieuwe halfgeleiders aanzienlijk minder energie vragen en ook zorgen voor minder CO2-uitstoot.
Bron: ABM Financial News
ABM Financial News is leverancier van beursnieuws, -video en -data, zowel voor real-time handelsplatformen en dealingrooms als voor online en offline media uitgaven. De informatie in dit artikel is niet bedoeld als professioneel beleggingsadvies of als aanbeveling tot het doen van bepaalde beleggingen.
Community trend
Zal het aandeel stijgen of dalen naar aanleiding van dit nieuwsbericht?
Community trend
Om deze actie uit te voeren moet u ingelogd zijn. Inloggen of Aanmelden